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郑昌喜博士

郑昌喜博士

Changxi Zheng, Ph. D.

理学院

物理系

低能电子显微镜实验室

联系

邮箱: zhengchangxi@westlake.edu.cn


个人简介


郑昌喜,广东梅州人,本科毕业于兰州大学材料物理专业,硕士毕业于中山大学材料物理与化学专业,博士毕业于澳大利亚莫纳什大学凝聚态物理专业。2013年博士毕业后继续留在莫纳什大学从事博士后研究,并于2014年转为独立博士后,期间独立主持与完成2项科研基金(1项国家级,1项校级)。现为西湖大学特聘研究员。


学术成果


郑昌喜博士长期从事最新纳米表征技术的开发及其在表面/界面物理研究中的应用。博士期间开发了面向III-V族半导体材料生长的低能电子显微镜装置(III-V Low Energy Electron Microscopy),系统地研究了砷化镓表面的外延生长动力学,发现新的镓富余相及解决了砷化镓量子环生长机理问题。博士后期间参与开发了世界上首台超快低能电子显微镜,并将其应用于范德华层状材料的表面/界面动力学研究。最近,通过发展出一套全新的样品制备方法,开发了液体样品三维原子探针技术(Liquid-Atom Probe Tomography),成功将三维原子探针的应用领域拓展到生物蛋白质与病毒颗粒溶液、以及其它各种纳米颗粒溶液,成为世界上分辨率最高的液体样品三维化学成分成像技术。
基于以上研究内容,郑昌喜博士被授予了一系列奖项,其中包括澳大利亚研究委员会的早期研究人员发现奖(DECRA)、莫纳什大学的Robert Street物理博士论文奖、莫纳什大学理学院的研究生论文发表奖、以及国家优秀自费留学生奖。并于2018年受邀到美国物理学会春季会议作分会场邀请报告。


代表性论文(*代表通讯作者,#代表共同一作)


1.C. Zheng,*,#L. Yu,#L. Zhu,#J. L. Collins,#D. Kim, Y. Lou, M. Li, Z. Wei, Y. Zhang, Y. Zhu, M. T. Edmonds, S. Li, J. Seidel, Z. Liu, W.-X. Tang,* and M. S. Fuhrer,*Room-temperature in-plane ferroelectricity in van der Waals In2Se3,Science Advances,4 (2018) eaar7720.
2. Q. Zhang, J. Lu, Z. Wang, Z. Dai, Y. Zhang, F. Huang, Q. Bao, W. Duan,* M. S. Fuhrer andC. Zheng,*Reliable Synthesis of Large-Area Monolayer WS2Single Crystals, Films and Heterostructures with Extraordinary Photoluminescence Induced by Water Intercalation,Advanced Optical Materials, 6 (2018) 1701347.
3. V. R. Adineh,#C. Zheng,*,#Q. Zhang, R. K.W. Marceau, B. Liu, Y. Chen, K. J. Si, M. Weyland, T. Velkov, W. Cheng, J. Li, J. Fu,*Graphene-enhanced three-dimensional chemical mapping of biological specimens at near-atomic resolution,Advanced Functional Materials, 28 (2018) 1801439.
4.C. Zheng,*,#Q. Zhang,#B. Weber, H. Ilatikhameneh, F. W. Chen, H. Sahasrabudhe, R. Rahman, S. Li, Z. Chen, J. Hellerstedt, Y. Zhang, W. Duan, Q. Bao, and M. S. Fuhrer,*Direct Observation of 2D Electrostatics and Ohmic Contacts in Template-Grown Graphene/WS2Heterostructures,ACS Nano, 11 (2017) 2785.
5. Q. Zhang, Z. Chang, G. Xu, Z. Wang, Y. Zhang, Z.-Q. Xu, S. Chen, Q. Bao, J. Z. Liu, Y.-W. Mai, W. Duan,* M. S. Fuhrer,* andC. Zheng,*Strain Relaxation of Monolayer WS2 on Plastic Substrate,Advanced Functional Materials, 26 (2016) 8707.
6.C. Zheng, J. Tersoff,* W. Tang, A. Morreau, and D. E. Jesson,*Novel GaAs surface phases via direct control of chemical potential,Physical Review B, 93 (2016) 195314.
7.C. Zheng, Z.-Q. Xu, Q. Zhang, M. T. Edmonds, K. Watanabe, T. Taniguchi, Q. Bao, and M. S. Fuhrer,*Profound effect of substrate hydroxylation and hydration on electronic and optical properties of monolayer MoS2,Nano Letters, 15 (2015) 3096.
8. S.-Y. Chen,C. Zheng, M. S. Fuhrer, and J. Yan,*Helicity-Resolved Raman Scattering of MoS2, MoSe2, WS2, and WSe2 Atomic Layers,Nano Letters, 15 (2015) 2526.
9. Z. Zhou,C. Zheng, W. Tang, J. Tersoff,* and D. E. Jesson,*Origin of Quantum Ring Formation During Droplet Epitaxy,Physical Review Letters, 111 (2013) 036102.


联系方式


Email:zhengchangxi@westlake.edu.cn
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